型号/品牌/封装
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资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube59555+￥32.462850+￥31.0755200+￥30.2986500+￥30.10441000+￥29.91022500+￥29.68825000+￥29.54957500+￥29.4108 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。94795+￥19.275850+￥18.4520200+￥17.9907500+￥17.87541000+￥17.76012500+￥17.62835000+￥17.54597500+￥17.4635 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道12A - 600V TO- 220 PowerMESH⑩ IGBT N-CHANNEL 12A - 600V TO-220 PowerMESH⑩ IGBT1624 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGP30H65F 系列 650 V 30 A 沟槽栅场截止 IGBT - TO-220-353065+￥23.807250+￥22.7898200+￥22.2200500+￥22.07761000+￥21.93512500+￥21.77245000+￥21.67067500+￥21.5689 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO- 220短路额定IGBT的PowerMESH N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT148910+￥7.8576100+￥7.4647500+￥7.20281000+￥7.18972000+￥7.13735000+￥7.07187500+￥7.019510000+￥6.9933 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道18A - 600V TO- 220 / D2PAK短路保护的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT1367 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGP35HF60W 系列 600 V 60 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-22012855+￥5.140825+￥4.760050+￥4.4934100+￥4.3792500+￥4.30302500+￥4.20785000+￥4.169810000+￥4.1126 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。57645+￥33.049050+￥31.6366200+￥30.8457500+￥30.64801000+￥30.45032500+￥30.22435000+￥30.08317500+￥29.9418 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道600V - 20A - TO- 220中频的PowerMESH IGBT N-channel 600V - 20A - TO-220 Medium frequency PowerMESH IGBT23065+￥26.110950+￥24.9950200+￥24.3702500+￥24.21391000+￥24.05772500+￥23.87925000+￥23.76767500+￥23.6560 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGF10NC60HD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚93051+￥52.734510+￥49.7088100+￥47.4611250+￥47.1153500+￥46.76951000+￥46.38042500+￥46.03465000+￥45.8185 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 3Pin(3+Tab) TO-220FP Tube91481+￥88.301610+￥84.4624100+￥83.7713250+￥83.2339500+￥82.38921000+￥82.00532500+￥81.46785000+￥81.0071 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGP10M65DF2 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 引脚107010+￥7.3080100+￥6.9426500+￥6.69901000+￥6.68682000+￥6.63815000+￥6.57727500+￥6.528510000+￥6.5041 -
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品类: IGBT晶体管描述: 19 A - 600 V - 非常快速的IGBT 19 A - 600 V - very fast IGBT76631+￥74.963910+￥71.7046100+￥71.1179250+￥70.6616500+￥69.94461000+￥69.61862500+￥69.16235000+￥68.7712 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道14A - 600V TO- 220 / DPAK非常快的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT139910+￥8.3628100+￥7.9447500+￥7.66591000+￥7.65202000+￥7.59625000+￥7.52657500+￥7.470810000+￥7.4429 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGF30H60DF TO-220F-330355+￥34.860250+￥33.3704200+￥32.5361500+￥32.32761000+￥32.11902500+￥31.88075000+￥31.73177500+￥31.5827 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V,30A,沟槽栅场截止型IGBT667110+￥7.1772100+￥6.8183500+￥6.57911000+￥6.56712000+￥6.51935000+￥6.45957500+￥6.411610000+￥6.3877 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道3A - 600V - TO- 220 / DPAK / D2PAK PowerMESH⑩ IGBT N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT1445 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道600V - 7A - TO- 220超高速的PowerMESH IGBT N-channel 600V - 7A - TO-220 Ultra fast PowerMESH IGBT23255+￥13.966350+￥13.3694200+￥13.0352500+￥12.95161000+￥12.86812500+￥12.77265000+￥12.71297500+￥12.6532 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 175000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube49745+￥29.905250+￥28.6272200+￥27.9115500+￥27.73261000+￥27.55372500+￥27.34925000+￥27.22147500+￥27.0936 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道10A - 600V - TO- 220非常快PowerMESH⑩ IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 VERY FAST PowerMESH⑩ IGBT35515+￥14.978350+￥14.3382200+￥13.9798500+￥13.89021000+￥13.80062500+￥13.69815000+￥13.63417500+￥13.5701 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGFL6NC60D 系列 600 V 6 A 法兰安装 超快速 IGBT - TO-220597710+￥10.1748100+￥9.6661500+￥9.32691000+￥9.30992000+￥9.24215000+￥9.15737500+￥9.089510000+￥9.0556 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道3A - 600V - TO- 220 / DPAK / D2PAK PowerMES TM IGBT N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMES TM IGBT3477 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGP7NC60HD 单晶体管, IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚102610+￥7.2072100+￥6.8468500+￥6.60661000+￥6.59462000+￥6.54655000+￥6.48657500+￥6.438410000+￥6.4144 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGP10NB60S 单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚609110+￥10.7280100+￥10.1916500+￥9.83401000+￥9.81612000+￥9.74465000+￥9.65527500+￥9.583710000+￥9.5479 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGP10NC60HD 系列 N沟道 600 V 10 A 极快 IGBT 法兰安装 - TO-220-359915+￥2.624425+￥2.430050+￥2.2939100+￥2.2356500+￥2.19672500+￥2.14815000+￥2.128710000+￥2.0995 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道20A - 600V TO- 220的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 20A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT7211 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道固支20A - TO- 220内部钳位PowerMesh⑩ IGBT N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh⑩ IGBT742510+￥8.0676100+￥7.6642500+￥7.39531000+￥7.38192000+￥7.32815000+￥7.26087500+￥7.207110000+￥7.1802 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。8828
